Добавить новость
Январь 2010 Февраль 2010 Март 2010 Апрель 2010 Май 2010
Июнь 2010
Июль 2010 Август 2010
Сентябрь 2010
Октябрь 2010
Ноябрь 2010
Декабрь 2010
Январь 2011
Февраль 2011 Март 2011 Апрель 2011 Май 2011 Июнь 2011 Июль 2011 Август 2011
Сентябрь 2011
Октябрь 2011 Ноябрь 2011 Декабрь 2011 Январь 2012 Февраль 2012 Март 2012 Апрель 2012 Май 2012 Июнь 2012 Июль 2012 Август 2012 Сентябрь 2012 Октябрь 2012 Ноябрь 2012 Декабрь 2012 Январь 2013 Февраль 2013 Март 2013 Апрель 2013 Май 2013 Июнь 2013 Июль 2013 Август 2013 Сентябрь 2013 Октябрь 2013 Ноябрь 2013 Декабрь 2013 Январь 2014 Февраль 2014
Март 2014
Апрель 2014 Май 2014 Июнь 2014 Июль 2014 Август 2014 Сентябрь 2014 Октябрь 2014 Ноябрь 2014 Декабрь 2014 Январь 2015 Февраль 2015 Март 2015 Апрель 2015 Май 2015 Июнь 2015 Июль 2015 Август 2015 Сентябрь 2015 Октябрь 2015 Ноябрь 2015 Декабрь 2015 Январь 2016 Февраль 2016 Март 2016 Апрель 2016 Май 2016 Июнь 2016 Июль 2016 Август 2016 Сентябрь 2016 Октябрь 2016 Ноябрь 2016 Декабрь 2016 Январь 2017 Февраль 2017 Март 2017 Апрель 2017 Май 2017
Июнь 2017
Июль 2017
Август 2017 Сентябрь 2017 Октябрь 2017 Ноябрь 2017 Декабрь 2017 Январь 2018 Февраль 2018 Март 2018 Апрель 2018 Май 2018 Июнь 2018 Июль 2018 Август 2018 Сентябрь 2018 Октябрь 2018 Ноябрь 2018 Декабрь 2018 Январь 2019
Февраль 2019
Март 2019 Апрель 2019 Май 2019 Июнь 2019 Июль 2019 Август 2019 Сентябрь 2019 Октябрь 2019 Ноябрь 2019 Декабрь 2019 Январь 2020
Февраль 2020
Март 2020 Апрель 2020 Май 2020 Июнь 2020 Июль 2020 Август 2020 Сентябрь 2020 Октябрь 2020 Ноябрь 2020 Декабрь 2020 Январь 2021 Февраль 2021 Март 2021 Апрель 2021 Май 2021 Июнь 2021 Июль 2021 Август 2021 Сентябрь 2021 Октябрь 2021 Ноябрь 2021 Декабрь 2021 Январь 2022 Февраль 2022 Март 2022 Апрель 2022 Май 2022 Июнь 2022 Июль 2022 Август 2022 Сентябрь 2022 Октябрь 2022 Ноябрь 2022 Декабрь 2022 Январь 2023 Февраль 2023 Март 2023 Апрель 2023 Май 2023 Июнь 2023 Июль 2023 Август 2023 Сентябрь 2023 Октябрь 2023 Ноябрь 2023 Декабрь 2023 Январь 2024 Февраль 2024 Март 2024 Апрель 2024 Май 2024 Июнь 2024 Июль 2024 Август 2024 Сентябрь 2024 Октябрь 2024 Ноябрь 2024 Декабрь 2024 Январь 2025 Февраль 2025 Март 2025 Апрель 2025 Май 2025 Июнь 2025 Июль 2025 Август 2025 Сентябрь 2025 Октябрь 2025 Ноябрь 2025 Декабрь 2025 Январь 2026 Февраль 2026 Март 2026 Апрель 2026
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
Game News |

Scientists have integrated 2D materials a few atoms thick into a working memory chip for the first time and you can't tell me this isn't some prime Star Trek-level tech

Every now and then, I come across a tech development that makes me feel like I'm living in the future, and this is one of those moments. A team of scientists at Fudan University in Shanghai have published a study detailing their latest achievement, a fully functional memory chip built with integrated 2D materials a few atoms thick. Yesssss. This is the Star Trek-level technology I was promised as a child.

Well, maybe that's jumping the gun a bit. Still, the achievement here is incredibly impressive (via Tom's Hardware). Essentially, the researcher's new Atom2chip process allowed them to flow a layer of molybdenum disulphide, functioning as a memory array, on top of a 0.13 micrometre CMOS silicon chip—fusing together an emerging atomic-scale, "2D" technology with traditional methods to create a working hybrid memory chip.

The chip-riding 2D flash memory array is able to communicate with the CMOS chip's control logic via a custom interface, which in turn means that instruction-driven operations, 32-bit parallelism and random access instructions can be swapped between the two.

And the deeper you go, the more impressive the scale of the achievement becomes. While wafers are polished as part of the production process, they've still got a layer of uneven terrain (we're talking nano-level, here) that could otherwise tear a several-atom-thick layer into an unworkable mess.

The researchers had to develop a conformal adhesion process that allows the 2D material to flow and bond with the rough surface of conventional silicon to create their hybrid sci-fi chip, a mind-boggling thing in its own right.

(Image credit: TSMC)

The end result of this incredibly clever method is a memory chip with a five megahertz peak operating speed but an incredibly low power draw, with each bit said to consume just 0.644 picojoules of juice. Not only that, but the process appears to result in a very stable output, with a reported success rate of 94.34%. A mass-manufacturing method in waiting, then? Perhaps.

Up until now, two-dimensional materials have been demonstrated in individual lab experiments, not in working components that could potentially scale to meet demand. And as our conventional chip production methods become ever more difficult as the processes become smaller and smaller, 2D materials might be the key to stretching Moore's Law all the way down to the atomic limit in the decades to come.

So, the upshot is, your CPU in the next few decades (I'm guessing here) might well make use of this very process in order to up the transistor density, all the while delivering massive power savings compared to the chips of today. Pie in the sky? Up until now, perhaps, but it's breakthroughs like this that could lead to it all becoming a reality.

Now, where's my Starship Enterprise? Still under development? Fine. Denser, more power-efficient chips thanks to nanoscale tech within my lifetime, though? Sure, I'll take it.



Читайте также

HyperX Cloud Flight 2 review

Вся информация о линейке Huawei Pura 90 в одном месте

Full path tracing might not be such a GPU hog in future, as Nvidia claims over 2x performance improvements in new research




Game24.pro — паблик игровых новостей в календарном формате на основе технологичной новостной информационно-поисковой системы с элементами искусственного интеллекта, гео-отбора и возможностью мгновенной публикации авторского контента в режиме Free Public. Game24.pro — ваши Game News сегодня и сейчас в Вашем городе.

Опубликовать свою новость, реплику, комментарий, анонс и т.д. можно мгновенно — здесь.